该产品应用基于全国产化材料和工艺的GaAs器件进行研制，结合公司成熟的微电子装联工艺及技术，在全频段内实现了较好的带内平坦度和输入输出驻波比，在各衰减状态下，其幅度平坦度变化较小，衰减重复性好，可满足电子侦察、电子对抗、测试测量等高性能射频/微波系统的超宽带、高可靠性及宽温度范围等的环境适应性需求。